为了追击萨姆森尼尔,军队必须重新集结并再次派遣。

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尽管将花费近800亿日元(7.58亿美元)来扩大芯片产量,引进先进的半导体设备,并瞄准动态随机存取存储器(DRAM)的市场领导者三星电子(Samsung Electronics)来迎头赶上。

日本“日经新闻”(Nikkei)报导,这将是尔必达(ElpidaMemory)这家晶片制造商3年来首度增产投资。日本日经新闻报道称,这将是三年来芯片制造商爱尔皮达莫里(ElpidaMemory)首次增加投资。

在美国主要动态随机存取存储器制造商微软技术公司的支持下,尽管正在重组并重新开始。

由于这项投资,埃尔比勒广岛工厂将于今年下半年开始使用20纳米工艺技术大规模生产动态随机存取存储器产品。

伊尔比勒达目前使用最高的25纳米工艺技术,三星电子是21-25纳米。

Irbilda的新芯片将应用于智能手机,可以节省10%的功耗,对于渴望延长电池寿命的设备制造商来说,这将是一大福音。

尽管在截至2012年3月的财年中,该公司在设备投资上花费了700亿日元,但受到经济低迷和个人电脑销售疲软的打击,因此于2012年2月申请破产重组,并于去年7月成为美光的全资子公司。

美光在世界上的动态随机存取存储器份额在购买埃尔比特克斯之后翻了一番,达到28%,与第二大的SK HynixInc持平。

为了挑战三星电子(Samsung Electronics),三星电子控制着37%的动态随机存取存储器市场,美光在截至今年8月的财年中,对设备的投资已增至最高31亿美元,比上年翻了一番。

其中大约一半将投资于埃尔比特思在日本和中国台湾的工厂。广岛工厂将成为尖端产品的供应基地,因为其先进的端到端微加工技术。

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